日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
2-8英寸,?156 x 156毫米
(可選;?12英寸,?210 x 210毫米)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類(lèi)型的總范圍)
[厚度] 500至約800μm
*有關(guān)每種探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊
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