- 作為膜原料的顆粒的能量大,并且對樣品的粘附力大。形成堅固的膜
- 可以在不改變諸如合金和化合物之類的原料的組成比的情況下進行成膜。
- 即使是高熔點原料,也難以成膜。
- 只能通過時間來高精度地控制膜厚度。
- 通過引入反應(yīng)性氣體,可以形成氧化物和氮化物6:即使在大面積上也可以形成均勻的膜。
- 蝕刻可以通過將樣品放置在目標位置來進行。
- 成膜速度通常較慢(取決于方法)
各種濺射方法
引入的原理是直流濺射,但是已經(jīng)設(shè)計出各種方法來彌補該缺點。以下是典型的濺射方法。
- 直流濺射-在兩個電極之間施加直流電壓的方法
- 射頻濺射-如何施加交流電(高頻)
- 磁控濺射-一種通過在磁體的靶側(cè)產(chǎn)生磁場來從樣品中分離血漿的方法。
- 離子束濺射-一種在與靶標或樣品不同的位置產(chǎn)生離子并加速向靶標施加的方法。
此外,還有相反的目標,用于ECR(電子回旋加速器)和半導(dǎo)體制造的準直儀以及長距離方法。另外,已經(jīng)開發(fā)了用于磁控管方法的各種方法,其中改變了靶的形狀和磁體的布置。
直流濺射
這是初設(shè)想的濺射方法。有關(guān)詳細信息,請參見“什么是濺射?原理”。
DC濺射具有許多優(yōu)點,例如結(jié)構(gòu)簡單,但是存在以下問題。
- 必須引起輝光放電,并且設(shè)備內(nèi)部的真空度相對較低,這會受到殘留氣體的影響。具體而言,膜與氣體反應(yīng),或者氣體被捕集在膜中。
- 氣體處于分為離子和電子的等離子體狀態(tài),樣品也暴露于高溫等離子體中。由于溫度上升而損壞。
- 當原料(靶)是絕緣體時,離子沉積在表面上,并且放電停止。
如何使用飛濺
隨著RF飛濺物的發(fā)展,可以形成各種物質(zhì)以及金屬的薄膜,因此被廣泛使用。
- 磁盤(垂直磁記錄介質(zhì)的生成)
- CD / DVD(記錄面上的金屬膜)
- 半導(dǎo)體(電路產(chǎn)生。存儲器[鐵電膜],各種傳感器)
- 磁頭(用于高密度記錄的硬盤。新的使用多層膜的磁頭)
- 噴墨打印機頭
- 液晶顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 有機EL顯示裝置(透明電極的產(chǎn)生)
- 高亮度LED
- 電子顯微鏡的樣品制備(通過導(dǎo)電膜防靜電)
- 光催化薄膜
- 分析(確定通過濺射跳過的表面物質(zhì),而不是成膜的物質(zhì))
- 納米機(形狀記憶合金膜)
- 在塑料和玻璃上產(chǎn)生電磁屏蔽膜
臺式快速涂布機SC系列緊湊型濺射設(shè)備,用于制備導(dǎo)電薄膜
使用緊湊且易于使用的設(shè)備可以輕松生產(chǎn)各種金屬的薄膜。請參見此處進行
SEM / TEM等預(yù)處理。